浅谈绝缘栅双极晶体管的原理
文章来源:发表时间:2019-08-13阅读次数:210[ 打印 ] [ 关闭 ]

  IGBT是一种VDMOS与双极晶体管的组合器件,集MOSFET和GTR的优点于一体,即具有功率MOSFET高输入阻抗、高速、热稳定性好、驱动功率小的特点,又具有GTR通态电压低、导电损耗小而耐压高的优点,能很好地满足要求。

  采用绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计电力电子开关可满足及时开通、及时关断,消除延时,三相分合闸同时,运行时无噪声,是理想的开关元器件,并为高质量地开展系统暂态稳定试验提供了前提。基于此,研制一套用IGBT动态开关实现的断路和短路装置ABFSD(Advanced Breaking Fault Simulation Device)。

  绝缘栅双极晶体管(IGBT)开关是以IGBT为核心实现的电力电子开关。由于IGBT是电压驱动器件,故其基本工作原理是当栅极加上正控电压时,阳极电流导通;当栅极加上零电压时,阳极电流断开。

  从理上讲,开关可分用串联和并联两种方式来实现。由于IGBT内部存在电容,在实际关断实验时,发现串联形式开关无法截止交流电流;而并联形式开关采用分别串联同向二极管则可。故开关形式选择为IGBT串同向二极管会反并联,又因断路器分合的是大电感负载,为防止浪涌电压过高,在开关两侧并入电阻电容吸收回路。